新華社武漢1月2日電（記者 李思遠、陳俊）總投資240億美元的國家存儲器基地項目近日在武漢東湖高新區(qū)正式開工。2020年全面建成后，年產(chǎn)值將超過100億美元，實現(xiàn)我國集成電路存儲芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)模化發(fā)展“零”的突破。

此次開工的國家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區(qū)武漢未來科技城，將建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、一座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，其核心生產(chǎn)廠房和設(shè)備每平方米的投資強度超過3萬美元。項目一期計劃2018年建成投產(chǎn)，2020年完成整個項目，總產(chǎn)能將達到30萬片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元。

據(jù)介紹，國家存儲器基地項目由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設(shè)。以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口，集存儲器產(chǎn)品設(shè)計、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測試、銷售于一體，建成后，還將帶動設(shè)計、封裝、制造、應(yīng)用等芯片產(chǎn)業(yè)相關(guān)環(huán)節(jié)的發(fā)展。

存儲器是信息系統(tǒng)的基礎(chǔ)核心芯片，最能代表集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模經(jīng)濟效益和先進制造工藝，同時也是我國進口金額最大的集成電路產(chǎn)品。