４月２０日，研究人員在展示我國第一款具有自主知識產(chǎn)權(quán)的相變存儲器（ＰＣＲＡＭ）芯片。我國第一款具有自主知識產(chǎn)權(quán)的相變存儲器（ＰＣＲＡＭ）芯片研制成功，打破了存儲器芯片生產(chǎn)技術(shù)長期被國外壟斷的局面，產(chǎn)業(yè)化前景可觀。據(jù)介紹，該款ＰＣＲＡＭ試驗芯片存儲容量為８Ｍｂ，在８英寸硅片上的每一塊存儲芯片，存儲單元成品率達(dá)９９％以上。截至２０１０年底，該款ＰＣＲＡＭ相變存儲器已經(jīng)獲得５０多項發(fā)明專利授權(quán)，１５０多項專利公開，相關(guān)專利分布涵蓋從材料、結(jié)構(gòu)工藝、設(shè)計到測試的芯片生產(chǎn)全部流程。新華社記者 劉穎 攝
４月２０日，在中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所，研究人員在相變存儲器芯片進(jìn)行語音功能演示。新華社記者 劉穎 攝
４月２０日，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員、ＰＣＲＡＭ研究項目負(fù)責(zé)人宋志棠（左）與研究人員在實驗室內(nèi)工作。新華社記者 劉穎 攝
